[发明专利]一种薄膜沉积装置和其沉积方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积装置，其包括：

反应室；

可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座；

装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气 体供给单元；

与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备 排出周围气体的排气线的分离排气单元；和

对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，

其中上述排气线将上述反应室的内部区分成源气区域、反应气体区域和 吹扫气体区域，其中上述源气区域和上述反应气体区域被上述吹扫气体区域 互相隔离。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中上述排气线吸入和排出安装 在上述基座上面的衬底上存在的不纯物或粒子。

3.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，进一步包括连接上述分离排气单 元的上述排气线和上述真空抽气单元的吐出线，其中上述吐出线的一端通过 上述气体供给单元的上部与上述排气线相连接且其另一端与上述真空抽气单 元相连接。

4.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，进一步包括形成在上述反应室的 边缘上且与上述真空抽气单元相连接的排气孔。

5.如权利要求4所述的薄膜沉积装置，其中在上述反应室内形成防止向 上述基座周围排出的气体混合的隔壁。

6.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中上述气体供给单元按顺序包 括提供源气的源气区域、提供吹扫气体的第一吹扫气体区域、提供反应气体 的反应气体区域和提供吹扫气体的第二吹扫气体区域，其中上述分离排气单 元包括与上述源气区域及上述第一和第二吹扫气体区域的边界相对应形成在 上述气体供给单元底面上的源气排气线和与上述反应气体区域及上述第一和 第二吹扫气体区域的边界相对应形成在上述气体供给单元底面上的反应气体 排气线。

7.如权利要求6所述的薄膜沉积装置，其中与上述源气区域、上述反应 气体区域和上述第一和第二吹扫气体区域相对应的上述气体供给单元含有向 上述反应室内喷射气体的多个气体喷射孔。

8.如权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中上述源气排气线覆盖上述源 气区域和上述第一吹扫气体区域之间的边界及上述源气区域和上述第二吹扫 气体区域之间的边界而被形成，其中上述反应气体排气线覆盖上述反应气体 区域和上述第一吹扫气体区域之间的边界及上述反应气体区域和上述第二吹 扫气体区域之间的边界而被形成。

9.如权利要求6所述的薄膜沉积装置，进一步包括形成在上述气体供给 单元上且其一端与上述源气排气线相连接的第一吐出线和一端与上述反应气 体排气线相连接的第二吐出线，其中上述真空抽气单元包括与上述第一吐出 线的另一端相连接的第一真空抽气器和与上述第二吐出线的另一端相连接的 第二真空抽气器。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积装置，进一步包括用来与上述源气区 域相对应形成在上述反应室的边缘上且与上述第一真空抽气器相连接的第一 排气孔；和用来与上述反应气体区域相对应形成在上述反应室的边缘上且与 上述第二真空抽气器相连接的第二排气孔。

11.如权利要求9所述的薄膜沉积装置，在上述反应室内形成用来防止 上述源气和上述反应气体之间的混合的隔壁，其中上述隔壁位于上述第一吹 扫气体区域和上述第二吹扫气体区域上。

12.如权利要求6所述的薄膜沉积装置，上述源气排气线排出上述源气 和吹扫气体，且上述反应气体排气线排出上述反应气体和吹扫气体。

13.一种薄膜沉积方法，其包括：

按顺序形成向反应室的上部供给源气的源气区域、供给吹扫气体的第一 吹扫气体区域、供给反应气体的反应气体区域和供给吹扫气体的第二吹扫气 体区域；

在上述反应室内旋转安装至少一个衬底的基座；

通过上述源气区域、上述反应气体区域及上述第一和第二吹扫气体区域 向上述衬底上供给上述源气、上述反应气体及上述吹扫气体；和

通过与上述源气区域及上述第一和第二吹扫气体区域的边界相对应在上 述气体供给单元底面上形成源气排气线且与上述反应气体区域及上述第一和 第二吹扫气体区域的边界相对应在上述气体供给单元底面上形成反应气体排 气线以将周围气体从上述反应室中排出。