[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于：在以边缘场切换模式驱动的液晶显示装置的制造方法中，通过缩减光掩模数来实现制造步骤的简化和制造成本的缩减。其包括如下步骤：在具有透光性的绝缘衬底上按顺序层叠形成第一透明导电膜及第一金属膜；使用第一光掩模的多级灰度掩模加工第一透明导电膜及第一金属膜的形状；按顺序层叠形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、第二金属膜；使用第二光掩模的多级灰度掩模加工第二金属膜、第二半导体膜的形状；形成保护膜；使用第三光掩模加工保护膜的形状；形成第二透明导电膜；以及使用第四光掩模加工第二透明导电膜的形状。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上按顺序形成透明导电膜和第一金属膜；通过使用多级灰度掩模的第一光掩模形成第一抗蚀剂，该第一抗蚀剂中的残留有所述透明导电膜和所述第一金属膜的叠层的部分以及只残留有所述透明导电膜的部分具有不同的厚度；通过使用所述第一抗蚀剂加工所述透明导电膜和所述第一金属膜的形状，形成栅电极；在所述栅电极上按顺序形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、及第二金属膜；通过使用多级灰度掩模的第二光掩模形成第二抗蚀剂，该第二抗蚀剂中的沟道区域形成部以及源区域及漏区域形成部具有不同的厚度；通过使用所述第二抗蚀剂分别加工所述第一半导体膜、所述第二半导体膜、及所述第二金属膜的形状，形成第一半导体层、第二半导体层、及第二金属层；通过对所述第一半导体层、所述第二半导体层、及所述第二金属层进行蚀刻，形成薄膜晶体管的沟道区域、漏区域、源区域、漏布线、及源布线；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；以及在所述保护膜上形成像素电极。