[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上按顺序形成透明导电膜和第一金属膜；

通过使用多级灰度掩模的第一光掩模形成第一抗蚀剂，该第一抗 蚀剂中的残留有所述透明导电膜和所述第一金属膜的叠层的部分以 及只残留有所述透明导电膜的部分具有不同的厚度；

通过使用所述第一抗蚀剂加工所述透明导电膜和所述第一金属 膜的形状，形成栅电极；

在所述栅电极上按顺序形成绝缘膜、第三半导体膜、第一半导体 膜、第二半导体膜、及第二金属膜；

通过使用多级灰度掩模的第二光掩模形成第二抗蚀剂，该第二抗 蚀剂中的沟道区域形成部以及源区域及漏区域形成部具有不同的厚 度；

通过使用所述第二抗蚀剂分别加工所述第三半导体膜、所述第一 半导体膜、第二半导体膜、及所述第二金属膜的形状，形成第三半导 体层、第一半导体层、第二半导体层、及第二金属层；

通过对所述第三半导体层、所述第一半导体层、所述第二半导体 层、及所述第二金属层进行蚀刻，形成薄膜晶体管的沟道区域、源区 域、漏区域、源布线、及漏布线，其中所述第一半导体层被过蚀刻；

在所述薄膜晶体管上形成保护膜；以及

在所述保护膜上形成像素电极，

其中所述第三半导体膜是通过频率为1GHz以上的微波等离子 体CVD形成的微晶硅膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一 半导体膜是i型非晶硅膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二 半导体膜是n型非晶硅膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多级 灰度掩模是半色调光掩模及灰阶编码光掩模之一种。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所 述像素电极的步骤中，在所述像素电极提供多个槽缝。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导 体装置是边缘场切换模式液晶显示器。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底 是透光绝缘衬底。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所 述栅电极的步骤中，形成包括所述透明导电膜的共同电极。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一 金属膜具有叠层结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第 二金属膜具有叠层结构。