[发明专利]背部照明图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200810181259.5 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101645416A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种背部照明图像传感器的制造方法。在该方法中，在第一衬底的前部的整个区域中形成离子注入层；在所述第一衬底的前部中形成器件隔离区域以定义像素区域；在所述像素区域中形成光感测单元和读出电路；在所述第一衬底上形成层间绝缘层和金属线；将第二衬底接合至其上形成有金属线的所述第一衬底的前部；除去第一衬底位于所述离子注入层之下的下部，使得在第一衬底的背部的光感测单元是可用的。本发明的制造方法可以采用离子注入技术稳定有效地去除衬底的背部，而且，通过采用Epi晶片而不是SOI晶片作为原料晶片，可显著降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背部 照明 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背部照明图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的前部的区域中形成离子注入层；在所述第一衬底的所述前部中形成器件隔离区域以定义像素区域；在所述像素区域中形成光感测单元和读出电路；在所述第一衬底上形成层间绝缘层和金属线；将第二衬底接合至其上形成有金属线的所述第一衬底的所述前部；以及去除所述第一衬底位于所述离子注入层以下的下部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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