[发明专利]背部照明图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种背部照明图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底的前部的区域中形成离子注入层；

在所述第一衬底的所述前部中形成器件隔离区域以定义像素区域；

在所述像素区域中形成光感测单元和读出电路；

在所述第一衬底上形成层间绝缘层和金属线；

将第二衬底接合至其上形成有金属线的所述第一衬底的所述前部；

去除所述第一衬底位于所述离子注入层以下的下部；以及

在所述第一衬底的背部上形成滤色镜。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤在形成 所述器件隔离区域的步骤之前进行。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤在形成 所述器件隔离区域的步骤之后、但在形成所述光感测单元和所述读出电路的 步骤之前进行。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤在形成 所述光感测单元的步骤之后、但在形成所述读出电路的步骤之前进行。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤包括执 行氢离子注入或氦离子注入。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤包括经 由所述第一衬底的前部执行离子注入。

7.如权利要求1所述的方法，其中去除所述第一衬底位于所述离子注 入层以下的下部的步骤包括对所述离子注入层执行热处理。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在去除所述第一衬底的所述下部 的步骤之后，在所述第一衬底的背部的所述光感测单元上形成微透镜。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在去除所述第一衬底位于所述离 子注入层以下的下部的步骤之后，打开在形成所述层间绝缘层和所述金属线 期间形成的焊盘。

10.如权利要求9所述的方法，其中打开所述焊盘的步骤包括从所述第 一衬底的背部蚀刻至所述焊盘。

11.如权利要求1所述的方法，在将第二衬底接合至所述第一衬底之前， 还包括在所述第二衬底上形成绝缘层，其中将所述第二衬底接合至所述第一 衬底，使得形成在所述第二衬底上的所述绝缘层与所述第一衬底的前部相接 触。

12.一种背部照明图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底的前部的区域中形成离子注入层；

在所述第一衬底的所述前部中形成光感测单元；

在所述第一衬底的所述前部上形成读出电路；

在所述第一衬底的所述前部上形成层间绝缘层和金属线；

将第二衬底接合至所述第一衬底的所述前部；

去除所述第一衬底位于所述离子注入层以下的下部；以及

在去除所述第一衬底的所述下部之后，在所述第一衬底的背部上形成滤 色镜。

13.如权利要12所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤包括将氢 离子或氦离子注入到其中形成有所述光感测单元的所述第一衬底的前部中。

14.如权利要12所述的方法，其中形成所述离子注入层的步骤包括在 形成所述光感测单元的步骤之前，将氢离子或氦离子注入到所述第一衬底的 前部中。

15.如权利要12所述的方法，其中去除所述第一衬底位于所述离子注 入层以下的下部的步骤包括对所述离子注入层执行热处理。

16.如权利要12所述的方法，还包括在去除所述第一衬底的下部的步 骤之后，在所述第一衬底的背部的所述光感测单元上形成微透镜。

17.如权利要12所述的方法，在将第二衬底接合至所述第一衬底之前， 还包括在所述第二衬底上形成绝缘层，其中将所述第二衬底接合至所述第一 衬底，使得形成在所述第二衬底上的所述绝缘层与所述第一衬底的所述前部 相接触。

18.如权利要12所述的方法，还包括在去除所述第一衬底位于所述离 子注入层以下的下部之后，打开在形成所述层间绝缘层和所述金属线期间形 成的焊盘。