[发明专利]MIM结构的电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200810178683.4 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471243A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 梁泽承;李康县 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MIM结构的电容器的制造方法。该方法包括在下电极金属层的上方顺序地沉积氮化物膜、Ti膜、以及TiN膜，所述氮化物膜作为绝缘膜，并且所述Ti/TiN层的组合作为上金属电极，用于所述MIM结构的电容器。该方法还包括在所述上电极金属层上涂覆光致抗蚀剂层，并且图案化所述光致抗蚀剂层；然后使用所述图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述上金属电极层和所述氮化物膜；以及通过湿法清洗工艺，最终除去残留在所述MIM结构的电容器的侧壁上的氮化物。通过本发明的MIM结构的电容器的制造方法，使用湿法清洗工艺除去当图案化MIM电容器时产生的绝缘层的残留物，从而可抑制短路的发生，并且可提高MIM结构的电容器的特性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 结构 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属/绝缘体/金属结构的电容器的制造方法，包括如下步骤：在下电极金属层的上方顺序地沉积氮化物膜、Ti膜、以及TiN膜，所述氮化物膜作为绝缘膜，并且所述Ti/TiN层的组合作为上金属电极，用于该金属/绝缘体/金属结构的电容器；在所述上电极金属层上涂覆光致抗蚀剂层，并且图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的所述光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述上金属电极层和所述氮化物膜；以及通过湿法清洗工艺，除去在所述金属/绝缘体/金属的结构的电容器的侧壁上残留的氮化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
