[发明专利]MIM结构的电容器的制造方法

权利要求书

1.一种金属/绝缘体/金属结构的电容器的制造方法，包括如下步骤：

在下电极金属层的上方顺序地沉积氮化物膜、Ti膜、以及TiN膜，所述氮化物膜作为绝缘膜，并且所述Ti/TiN层的组合作为上金属电极，用于该金属/绝缘体/金属结构的电容器；

在所述上电极金属层上涂覆光致抗蚀剂层，并且图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的所述光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述上金属电极层和所述氮化物膜；以及

通过湿法清洗工艺，除去在所述金属/绝缘体/金属的结构的电容器的侧壁上残留的氮化物。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中通过湿法清洗工艺除去残留在所述金属/绝缘体/金属的结构的电容器的侧壁上的氮化物包括顺序地执行如下步骤：

通过在清洗装置的清洗槽中提供第一清洗液，除去所述残留的氮化物；

通过在所述清洗装置的所述清洗槽中提供第二清洗液，除去所述残留的氮化物；

通过在所述清洗装置的所述清洗槽中提供第三清洗液，除去所述残留的氮化物；以及

使用氮气实施干燥处理。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一清洗液包括HCl。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二清洗液包括稀释的HF。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述第三清洗液包括四甲基氢氧化铵。

6.如权利要求2所述的方法，还包括如下步骤：在提供各所述第一、第二、以及第三清洗液之后，实施使用超纯净水的清洗工艺。

7.一种金属/绝缘体/金属的结构的电容器，包括：

下电极金属层，所述下电极金属层包括第一Ti膜，第一TiN膜，AlCu层，第二Ti膜，以及第二TiN膜；

氮化物膜，形成在所述下电极金属层上；以及

上电极金属层，形成在所述氮化物膜上，所述上电极金属层包括第三Ti膜和第三TiN膜，其中所述电容器不含位于所述电容器侧壁上的氮化物残留物。

8.如权利要求7所述的金属/绝缘体/金属的结构的电容器，其中使用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，所述上电极金属层和所述氮化物使用反应离子蚀刻工艺顺序地蚀刻。

9.如权利要求7所述的金属/绝缘体/金属的结构的电容器，其中所述下电极金属层的厚度范围约为从500至5000。

10.如权利要求7所述的金属/绝缘体/金属的结构的电容器，其中所述绝缘层的所述氮化物膜具的厚度范围约为从50至300。

11.如权利要求7所述的金属/绝缘体/金属的结构的电容器，其中所述第三Ti膜的厚度范围约为从100至5000。

12.如权利要求8所述的金属/绝缘体/金属的结构的电容器，其中所述光致抗蚀剂层的厚度范围约为从3000至18000。