[发明专利]一种离子植入机和离子植入方法无效
| 申请号: | 200810178441.5 | 申请日: | 2008-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN101740301A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 陈雪峰;王冬晶 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 张春媛 |
| 地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种离子植入机和离子植入方法,该离子植入机主要包含并排在一起的多个的离子源、并排在一起的多个分析磁场单元、并排在一起的多个孔、具有汇聚离子束作用的磁场、以及萃取电压源。上述多个离子源各自产生离子束,所产生的多个离子束在萃取电压源的作用下被拉出,然后分别经过上述多个分析磁场单元进行筛选后从分析磁场单元的另一端射出,再经过上述多个孔后,被具有汇聚离子束作用的磁场变成平行的离子束,之后将平行的离子束植入到晶片里面去。采用本发明的装置和方法可以产生宽度加宽且均匀度得到改善的离子束,从而使离子植入机获得更大的离子束流,进而提高了机台的吞吐量。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 离子 植入 方法 | ||
【主权项】:
一种离子植入机,其特征在于该离子植入机包含:N个并排在一起的产生离子的离子源,每个离子源具有一个发出离子的出口;N个并排在一起的筛选离子的分析磁场单元,该N个分析磁场单元各自的一端分别对应于上述N个离子源的N个出口;N个并排在一起的孔,该N个孔分别对应于上述N个分析磁场单元的另一端;位于上述孔之后的具有汇聚离子束作用的磁场;萃取电压源,其正极接向并排在一起的N个离子源,负极接向并排在一起的N个分析磁场单元;其中,N是大于或等于2的整数。
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