[发明专利]一种离子植入机和离子植入方法

权利要求书

1.一种离子植入机，其特征在于该离子植入机包含：

N个并排在一起的产生离子的离子源，每个离子源具有一个发出离子的出口；

N个并排在一起的筛选离子的分析磁场单元，该N个分析磁场单元各自的一端分别对应于上述N个离子源的N个出口；

N个并排在一起的孔，该N个孔分别对应于上述N个分析磁场单元的另一端；

位于上述孔之后的具有汇聚离子束作用的磁场；

萃取电压源，其正极接向并排在一起的N个离子源，负极接向并排在一起的N个分析磁场单元；

其中，N是大于或等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于该离子是需要植入晶片中元素的正离子。

3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于该萃取电压源的电压可变。

4.一种利用权利要求1所述的离子植入机的离子植入方法，其特征在于

上述N个离子源各自产生离子束，所产生的N个离子束在萃取电压源的作用下被拉出，然后分别经过上述N个并排在一起的分析磁场单元进行筛选后，分别从该N个分析磁场单元的另一端射出，射出的N个离子束分别汇聚于N个并排在一起的孔中，经过N个孔后的N个发散离子束再经具有汇聚离子束作用的磁场后变成平行的离子束，之后将平行的离子束植入到晶片里面去；

其中，N是大于或等于2的整数。

5.根据权利要求4所述的离子植入方法，其特征在于该离子是需要植入晶片中元素的正离子。

6.根据权利要求5所述的离子植入方法，其特征在于通过加电压到萃取电压源上，正离子在正电压的推力下被拉出来。