[发明专利]用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器有效
| 申请号： | 200810178265.5 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101435856A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | X·楚;Y·刘;Y·朱 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01R33/36 | 分类号： | G01R33/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李 娜;刘春元 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器。描述了一种用于驱动多发射线圈(403，404)磁共振成像(MRI)系统的超低输出阻抗RF功率放大器(401，402)，该功率放大器包括具有高功率MOSFET(311)的输出匹配网络(308)，在操作上耦合到MRI系统中的至少一个发射线圈，以得到所期望的输出功率和阻抗。本发明还描述了一种采用RF功率放大器来实现去耦以驱动至少一个发射线圈的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 输出 阻抗 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1. 一种用于驱动多发射线圈(403，404)磁共振成像(MRI)系统的射频(RF)功率放大器(401，402)，该RF功率放大器包括：具有高功率MOSFET(311)的输出匹配网络(308)，在操作上耦合到该MRI系统中的至少一个发射线圈，以得到所期望的输出功率和阻抗。
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