[发明专利]用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器

权利要求书

1.一种用于驱动多发射线圈（403，404）磁共振成像系统的射频功率放大器（401，402），该射频功率放大器包括：

具有高功率MOSFET（311）的输出匹配网络（308），在操作上耦合到该磁共振成像系统中的至少一个发射线圈，以得到期望的输出功率和低输出阻抗，其中该输出匹配网络（308）耦合到该MOSFET（311），并且其中该输出匹配网络（308）包括：

电感部件（312）和共振网络，应用于该MOSFET的输出以便将该MOSFET的漏极源极阻抗变换成所述低输出阻抗；并且

将该MOSFET的负载阻抗（309）变换成该MOSFET的最佳负载值，以得到所述期望的输出功率。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器（401，402），其中该共振网络包括电容（310，314）部件和电感部件（313），以便依据                                               将该MOSFET（206）的漏极-源极电阻成分变换成输出阻抗（315），其中代表拉莫尔频率，R_DS代表漏极-源极电阻，并且Z_OUT表示输出阻抗。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器（401，402），其中

该输出匹配网络（308）还依据将发射线圈输入阻抗（317）变换成所述负载阻抗（309），其中代表拉莫尔频率，并且Z_L代表负载阻抗；并且

该输出匹配网络还依据将所述负载阻抗（309）变换成该MOSFET的所述最佳负载，其中R_OL表示使MOSFET能够输出最高功率的负载电阻，Z_OL表示Z_L的最佳负载阻抗以及C_OSS表示MOSFET的漏极-源极电容。

4.一种用于并行发射中的发射线圈去耦的超低输出阻抗射频功率放大器（401，402），包括输出匹配网络（308）和高功率MOSFET（311），该高功率MOSFET（311）在操作上耦合到该输出匹配网络（308）的输入，以便为该发射线圈去耦提供小于10 ohm的低输出阻抗并使可获得的输出功率最大化，其中该输出匹配网络（308）包括电感部件（312）和共振网络，应用到该MOSFET的输出以便实现期望的输出功率和所述低输出阻抗。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器（401，402），其中该共振网络包括电容部件和电感部件（310、314、313），以便依据将该MOSFET（206）的漏极-源极电阻成分变换成输出阻抗（315），其中代表拉莫尔频率，R_DS代表漏极-源极电阻，并且Z_OUT表示输出阻抗。

6.如权利要求4所述的射频功率放大器（401，402），其中

该输出匹配网络（308）还依据将发射线圈输入阻抗（317）变换成该MOSFET的负载阻抗（309），其中代表拉莫尔频率，并且Z_L代表负载阻抗；并且

该输出匹配网络（308）还依据将该负载阻抗（309）变换成该MOSFET的最佳负载，其中R_OL表示使MOSFET能够输出最高功率的负载电阻，Z_OL表示Z_L的最佳负载阻抗以及C_OSS表示MOSFET的漏极-源极电容。