[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法

摘要

本发明提供非易失性存储器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括具有第一有源区和第二有源区的衬底。第一有源区包括第一源区和第一漏区，第二有源区包括第二源区和第二漏区。第一层间电介质位于衬底的上方。第一导电结构延伸穿过第一层间电介质。第一位线位于第一层间电介质上。第二层间电介质位于第一层间电介质上。接触孔延伸穿过第二层间电介质和第一层间电介质。该器件包括在接触孔内的第二导电结构，该第二导电结构延伸穿过第一层间电介质和第二层间电介质。第二位线位于第二层间电介质上。在第二层间电介质的底部处的接触孔的宽度小于或基本上等于在第二层间电介质的顶部处的宽度。

主权项

1. 一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，其在衬底上，限定了第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区包括第一公共源区、多个第一源/漏区和第一漏区，并且其中，所述第二有源区包括第二源区、多个第二源/漏区和第二漏区；绝缘层，其位于所述第一有源区和所述第二有源区上方；公共源线，其延伸穿过所述绝缘层，并电连接到所述第一公共源区和第二公共源区；第一搭接塞，其延伸穿过所述绝缘层，并电连接到所述第一漏区；第二搭接塞，其延伸穿过所述绝缘层，并电连接到所述第二漏区；第一位线，其位于所述绝缘层上方，并电连接到所述第一搭接塞；以及第二位线，其位于所述绝缘层上方，并电连接到所述第二搭接塞，其中，所述第一搭接塞和所述第二搭接塞中的至少一个的上表面与所述公共源线的上表面基本上共面，以及其中，所述第一位线和所述第二位线位于所述衬底上方的不同高度。