[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

该申请要求于2007年11月16日在韩国知识产权局提交的第 2007-0117390号韩国专利申请在35USC§119下的优先权，该公开的 全部内容通过引用合并于此。

背景技术

本发明的示例性实施例一般涉及一种半导体器件及其构造方法。 更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种在位线之间具有降低的 耦合电容的半导体存储器件及其制造方法。

发明内容

在此示例性描述的一个实施例可以表现为一种半导体存储器件， 该半导体存储器件包括在衬底上限定了第一有源区和第二有源区的器 件隔离图案。第一有源区可包括第一源区、多个第一源/漏区和第一漏 区。第二有源区可包括第二源区、多个第二源/漏区和第二漏区。半导 体存储器件还可包括：绝缘层，其位于第一有源区和第二有源区上方； 公共源线，其延伸穿过绝缘层并电连接到第一源区和第二源区；第一 搭接塞，其延伸穿过绝缘层并电连接到第一漏区；第二搭接塞，其延 伸穿过绝缘层并电连接到第二漏区；第一位线，其位于绝缘层上方并 电连接到第一搭接塞；以及第二位线，其位于绝缘层上方，并电连接 到第二搭接塞。第一搭接塞和第二搭接塞中的至少一个的顶表面可以 与公共源线的顶表面基本上共面。第一位线和第二位线可以位于衬底 上方的不同高度。

在此描述的另一实施例示例可以表现为一种半导体存储器件，该 半导体存储器件包括在衬底上限定第一有源区和第二有源区的器件隔 离图案。第一有源区可包括第一源区和第一漏区，第二有源区可包括 第二源区和第二漏区。该半导体存储器件还可包括：第一层间电介质， 其位于第一有源区和第二有源区的上方；第一导电结构，其延伸穿过 第一层间电介质并电连接到第一漏区；第一位线，其位于第一层间电 介质上并电连接到第一导电结构；以及第二层间电介质，其位于第一 层间电介质上。第二层间电介质可包括延伸穿过第二层间电介质和第 一层间电介质的接触孔。半导体存储器件还可包括第二导电结构，该 第二导电结构位于接触孔内，并延伸穿过第一层间电介质和第二层间 电介质。第二导电结构可以电连接到第二漏区。该半导体存储器件还 可包括第二位线，该第二位线位于第二层间电介质上并电连接到第二 导电结构。第二层间电介质的底表面的接触孔的宽度可以小于或者基 本上等于第二层间电介质的顶表面处的接触孔的宽度。

在此示例性描述的又一实施例可以表现一种形成半导体存储器件 的方法。该方法可包括：在衬底上形成器件隔离图案，以限定第一有 源区和第二有源区，其中，第一有源区包括第一源区和第一漏区，并 且其中，第二有源区包括第二源区和第二漏区；在第一有源区和第二 有源区上形成第一层间电介质；形成第一导电结构，该第一导电结构 延伸穿过第一层间电介质并电连接到第一漏区；在第一层间电介质上 形成第一位线，其中，第一位线电连接到第一导电结构；在第一层间 电介质上形成第二层间电介质；去除第二层间电介质的一部分，以形 成延伸穿过第二层间电介质的接触孔；形成延伸穿过接触孔和第一层 间电介质的第二导电结构，其中，第二导电结构电连接到第二漏区； 以及形成位于第二层间电介质上的第二位线，其中，第二位线电连接 到第二导电结构。

在此示例性描述的又一实施例可以表现为一种形成半导体存储器 件的方法。该方法可包括：在衬底上形成器件隔离图案，以限定第一 有源区和第二有源区，其中，第一有源区包括第一源区和第一漏区， 并且其中，第二有源区包括第二源区和第二漏区；形成绝缘层，所述 绝缘层位于第一有源区和第二有源区上方；形成公共源线，所述公共 源线延伸穿过绝缘层并电连接到第一源区和第二源区；形成第一搭接 塞，所述第一搭接塞延伸穿过绝缘层，其中，第一搭接塞电连接到第 一漏区；形成第二搭接塞，所述第二搭接塞延伸穿过绝缘层，其中， 第二搭接塞电连接到第二漏区；在绝缘层上方形成第一位线，其中， 第一位线电连接到第一搭接塞；在绝缘层上方形成第二位线，其中， 第二位线电连接到第二搭接塞，其中，第一搭接塞和第二搭接塞中的 至少一个的顶表面与公共源线的顶表面和绝缘层的顶表面基本上共 面，其中，第二位线和第一位线位于衬底上方的不同高度。