[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810177676.2 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101471291A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金大均 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件及其制造方法能够防止LDD区和栅电极的下部相互重叠以获得期望的器件性能。本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件及其制造方法可以使LDD区和栅电极的下部之间的重叠最小化。最小化重叠可以使器件性能最大化并使栅电极之间缺陷的产生最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：设置具有浅沟槽隔离区(STI)和栅极区的下部结构；在所述STI区中形成器件隔离膜，并在所述栅极区中形成牺牲层；使用所述器件隔离膜和所述牺牲层作为阻挡物来在所述器件隔离膜和所述牺牲层之间形成轻掺杂漏极(LDD)区；通过从所述栅极区中选择性地去除所述牺牲层来在所述下部结构中形成沟槽；在所述沟槽的各个侧壁上形成隔离体；在所述沟槽的最下表面上以及在所述隔离体之间形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上方形成栅电极，并且所述栅电极填充所述沟槽；在所述下部结构中以及在所述LDD区上方形成结区；以及然后扩散所述LDD区到所述栅极区的下部的相对的末端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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