[发明专利]具有多铁材料的磁阻传感器存储器无效
| 申请号： | 200810175697.0 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393962A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | M·A·西格勒 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包含磁阻传感器的存储器单元，该传感器包含多个层，其中一层为自由层。在读间隔中，该磁阻传感器传导用于代表存储在存储器单元中的数据的读电流。第一写导体传输在自由层中写入数据的写电流。至少有一个层包含由多铁材料构成的多铁层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 磁阻 传感器 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种存储器单元，包括：由多层构成的磁阻传感器，其中包含自由层，该磁阻传感器在读间隔中传导用于代表存储器单元中所存储的数据的读电流；以及第一写导体，用于传输在自由层中写数据的写电流；并且至少其中一层包含由多铁材料所构成的多铁层。
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