[发明专利]具有多铁材料的磁阻传感器存储器

权利要求书

1、一种存储器单元，包括：

由多层构成的磁阻传感器，其中包含自由层，该磁阻传感器在读间隔中传导用于代表存储器单元中所存储的数据的读电流；以及

第一写导体，用于传输在自由层中写数据的写电流；并且至少其中一层包含由多铁材料所构成的多铁层。

2、如权利要求1所述的存储器单元，其中多铁层接收用于调制多铁材料的磁各向异性的调制电位。

3、如权利要求2所述的存储器单元，其中在写间隔中，上述调制过程提供更低的磁各向异性。

4、如权利要求2所述的存储器单元，其中在读间隔中，上述调制过程提供更高的磁各向异性。

5、如权利要求1所述的存储器单元，进步一包括：

第二写导体，用于在写间隔中产生与自由层相交的第二写磁场。

6、如权利要求5所述的存储器单元，其中第一和第二写磁场在隧道结的至少一个区域中矢量地叠加。

7、如权利要求1所述的存储器单元，其中第一写电流流经磁阻传感器。

8、如权利要求1所述的存储器单元，其中自由层包括非易失性存储元件。

9、如权利要求1所述的存储器单元，其中磁阻传感器包括电流-平面内式磁阻传感器。

10、如权利要求1所述的存储器单元，其中磁阻传感器包括电流-垂直于平面式磁阻传感器。

11、如权利要求1所述的存储器单元，其中自由层包括多铁磁阻材料。

12、如权利要求1所述的存储器单元，其中多铁材料磁耦合到软磁材料以增大磁阻。

13、如权利要求1所述的存储器单元，进一步包含邻接着自由层的合成永磁体。

14、如权利要求13所述的存储器单元，其中合成永磁体包含耦合到软磁层的多铁层。

15、如权利要求1所述的存储器单元，其中自由层包括磁转换层。

16、如权利要求1所述的存储器单元，其中多铁层通过RKKY耦合而耦合到自由层。

17、一种存储器单元阵列，包括：

在交叉点交叉的行写导体和列写导体；

在交叉点定位并寻址的存储器单元；以及

每个存储器单元包括含多铁材料层的磁阻传感器。

18、如权利要求13所述的阵列，其中被寻址的存储器单元的多铁材料接收用于调制多铁材料的磁属性的调制电位。

19、如权利要求17所述的阵列，其中被调制的磁属性包含磁各向异性。

20、如权利要求18所述的阵列，其中调制电位调制多铁材料的磁各向异性。

21、如权利要求18所述的阵列，其中写电流流经被寻址的存储器单元的磁阻传感器。

22、如权利要求18所述的阵列，其中写电流没有流经被寻址的存储器单元的磁阻传感器。

23、一种方法，包括：

提供磁阻传感器，该磁阻传感器在读间隔中传导用于代表存储器单元中所存储的数据的读电流；

提供第一写导体，该第一写导体在写间隔中产生与磁阻传感器相交的第一写磁场；以及

用多铁材料来构成至少一个磁阻传感器层。

24、如权利要求23所述的方法，其中使用薄膜沉积来构成多铁材料。

25、如权利要求23所述的方法，其中使用微结构或纳米结构制造过程来构成多铁材料。