[发明专利]具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法有效
| 申请号： | 200810175533.8 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101423976A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎;申丞镐;文智勋;李洪雨;洪宁皓 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体单晶生长方法，该方法使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转石英坩埚和施加强水平磁场的同时提升晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转石英坩埚的同时提升晶种。 | ||
| 搜索关键词： | 有氧 浓度 特性 改进 半导体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体单晶生长方法，所述方法使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转所述石英坩埚和施加强水平磁场的同时提升所述晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，其中，当以0. 6rpm和1.5rpm之间的速度旋转所述石英坩埚的同时提升所述晶种。
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