[发明专利]具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法有效
| 申请号： | 200810175533.8 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101423976A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎;申丞镐;文智勋;李洪雨;洪宁皓 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有氧 浓度 特性 改进 半导体 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体单晶生长方法，所述方法使用通过将晶种浸入容纳 在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转所述石英坩埚和施加 强水平磁场的同时提升所述晶种而通过固-液界面生长半导体 单晶的Czochralski工艺，
其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转所述石英 坩埚的同时提升所述晶种，以及
其中，在所述半导体单晶的主体的初始阶段，以0.6rpm 和0.8rpm之间的速度旋转所述石英坩埚，以生长具有 10.6ppma和12.8ppma之间的氧浓度的单晶；
其中，根据单晶生长长度逐渐增加所述石英坩埚的旋转 速度以使氧浓度中改变的幅度最小化。
2.根据权利要求1所述的半导体单晶生长方法，
其中，以2000G以上的强度施加所述强水平磁场。
3.根据权利要求2所述的半导体单晶生长方法，
其中，以2500G和3500G之间的强度施加所述强水平磁 场。
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