[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810175134.1 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101425501A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 元结敏彰 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例的第一示范性方面是半导体器件，其包括下层布线层中的多条第一下层线，电连接到第一半导体区且成形类似于第一半导体区；下层布线层中的多条第二下层线，电连接到第二半导体区且成形类似于第二半导体区；中间布线层中的第一中间线，电连接到多条第一下层线，第一中间线包括成形类似于多条第一下层线的多个指状区域，和与指状区域相互电连接的耦合部；中间布线层中的第二中间线，电连接到多条第二下层线，第二中间线包括成形类似于多条第二下层线的多个指状区域，和与指状区域相互电连接的耦合部；上层布线层中的第一上层线，电连接到第一中间线；以及上层布线层中的第二上层线，电连接到第二中间线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：下层布线层中的多条第一下层线，电连接到第一半导体区且类似于所述第一半导体区地成形；下层布线层中的多条第二下层线，电连接到第二半导体区且类似于所述第二半导体区地成形；中间布线层中的第一中间线，电连接到所述多条第一下层线，所述第一中间线包括类似于所述多条第一下层线地成形的多个指状区，以及与所述指状区相互电连接的耦合部；所述中间布线层中的第二中间线，电连接到所述多条第二下层线，所述第二中间线包括类似于所述多条第二下层线地成形的多个指状区，以及与所述指状区相互电连接的耦合部；上层布线层中的第一上层线，电连接到所述第一中间线；以及所述上层布线层中的第二上层线，电连接到所述第二中间线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810175134.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三芯平行护套线
- 下一篇：汽车安全状态显示装置
