[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下层布线层中的多条第一下层线，电连接到第一半导体区且类似 于所述第一半导体区地成形；

下层布线层中的多条第二下层线，电连接到第二半导体区且类似 于所述第二半导体区地成形；

中间布线层中的第一中间线，电连接到所述多条第一下层线，所 述第一中间线包括类似于所述多条第一下层线地成形的多个指状区， 以及与所述指状区相互电连接的耦合部；

所述中间布线层中的第二中间线，电连接到所述多条第二下层线， 所述第二中间线包括类似于所述多条第二下层线地成形的多个指状 区，以及与所述指状区相互电连接的耦合部；

上层布线层中的第一上层线，电连接到所述第一中间线；以及

所述上层布线层中的第二上层线，电连接到所述第二中间线，

其中所述半导体器件是功率晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

在沿着所述第一中间线延伸的第一方向上，所述第一中间线的耦 合部具有等于所述第一中间线的长度的大约一半的长度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

当所述第一下层线中的给定的一条在所述第一方向上具有长度T， 并且在与所述第一方向正交的第二方向上具有长度S时，所述第一中 间线在所述第二方向上具有长于长度S的部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述第一中间线在所述第一方向上短于长度T。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

当仅关注在所述第一下层线中的给定的一条的正上方的区域时， 所述第一中间线和所述第一上层线之间的接触的数目少于所述第一下 层线和所述第一中间线之间的接触的数目。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一中间线具有与所述第一下层线类似的图案和与所述第一 上层线类似的图案。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述多条第一和第二下层线是带状的。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一和第二上层线是矩形状的且分别形成在所述第一和第二 半导体区的基本一半的上方。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

所述第一半导体区和第二半导体区交替设置；以及

所述第一中间线的指状区和所述第二中间线的指状区相互交错。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一和第二半导体区分别是源极区和漏极区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一和第二半导体区分别是发射区和集电区。