[发明专利]等离子体处理设备无效
| 申请号： | 200810172549.3 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101448357A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李荣钟;崔浚泳;曹生贤;黄荣周;金钟千 | 申请（专利权）人： | 爱德牌工程有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种等离子体处理设备，用于在维持于真空状态的室中产生等离子体并使用所述等离子体处理基板。所述等离子体处理设备包括在淋浴头中形成的用于使制冷剂循环的制冷剂通道，从而容易地控制淋浴头的温度并改善等离子体处理的再现性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体处理设备，用于在维持于真空状态的室中产生等离子体并使用所述等离子体处理基板，包括：上和下电极，分别提供在所述室的上面和下面部分中，用于将高频功率施加到所述室中；淋浴头，连接到从所述上电极的下表面向下突出的边缘部分，以形成扩散空间，过程气体在所述扩散空间被扩散，所述淋浴头将已扩散的过程气体扩散到所述室中；制冷剂通道，在水平方向通过所述上电极，用于为通过从外部供应的制冷剂而提供通路；热传输单元，设置在所述扩散空间中穿过所述空间，用于将所述淋浴头的热传输到所述上电极，所述热传输单元的一端与所述淋浴头的上表面接触，而所述热传输单元的另一端与所述上电极的下表面接触；以及制冷剂循环单元，连接到所述制冷剂通道的两端，用于将所述制冷剂供应到所述制冷剂通道的一端并从所述制冷剂通道的另一端收集所述制冷剂。
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