[发明专利]等离子体处理设备无效
申请号: | 200810172549.3 | 申请日: | 2005-12-19 |
公开(公告)号: | CN101448357A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 李荣钟;崔浚泳;曹生贤;黄荣周;金钟千 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
1.一种等离子体处理设备,用于在维持于真空状态的室中产生等 离子体并使用所述等离子体处理基板,包括:
上和下电极,分别提供在所述室的上面和下面部分中,用 于将高频功率施加到所述室中;
淋浴头,连接到从所述上电极的下表面向下突出的边缘部 分,以形成扩散空间,过程气体在所述扩散空间被扩散,所述 淋浴头将已扩散的过程气体扩散到所述室中;
制冷剂通道,在水平方向通过所述上电极,用于为通过从 外部供应的制冷剂而提供通路;
热传输单元,设置在所述扩散空间中穿过所述空间,用于 将所述淋浴头的热传输到所述上电极,所述热传输单元的一端 与所述淋浴头的上表面接触,而所述热传输单元的另一端与所 述上电极的下表面接触;以及
制冷剂循环单元,连接到所述制冷剂通道的两端,用于将 所述制冷剂供应到所述制冷剂通道的一端并从所述制冷剂通 道的另一端收集所述制冷剂。
2.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述热传输单元 由具有高的热传导率的金属制成。
3.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述热传输单元 包括由指定间隔彼此分离的多个热传输销。
4.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述热传输单元 包括由指定间隔彼此分离的多个热传输板。
5.如权利要求4所述的等离子体处理设备,其中用于通过所述过 程气体的多个孔在水平方向通过所述热传输板而形成。
6.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述热传输单元 包括热传输格构。
7.如权利要求6所述的等离子体处理设备,其中用于通过所述过 程气体的多个孔在水平方向通过所述热传输格构而形成。
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