[发明专利]精细图案化半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200810171011.0 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101494161A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李时镛;金明哲;车知勋;田炅烨;尹东基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 精细 图案 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路制造期间的图案化方法，所述方法包括：形成第一掩模结构的第一图案；在所述第一掩模结构的暴露表面上形成缓冲层；以及在所述第一掩模结构的侧壁处的所述缓冲层之间的凹陷中形成第二掩模结构的第二图案；其中所述第一掩模结构和所述第二掩模结构至少之一的每个通过旋涂各自的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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