[发明专利]高压金氧半导体组件及其制作方法有效
| 申请号： | 200810170533.9 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101728430A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 涂高维 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压金氧半导体组件，包括一第一导电型的本体、一导电结构、一第二导电型的第一井区、一第一导电型的源极掺杂区与一第二导电型的第二井区。其中，导电结构具有一第一延伸部与一第二延伸部。第一延伸部由本体的上表面朝向本体的内部延伸。第二延伸部沿着本体的上表面延伸。第一井区位于本体内，位于第二延伸部的下方，并且，第一井区与第一延伸部间隔一预设距离。源极掺杂区位于第一井区内。第二井区位于本体内，由第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括：一第一导电型的本体；一导电结构，具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部由该本体的上表面朝向该本体的内部延伸，该第二延伸部沿着该本体的该上表面延伸；一第二导电型的第一井区，位于该本体内及位于该第二延伸部的下方，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；一第一导电型的源极掺杂区，位于该第一井区内；以及一第二导电型的第二井区，位于该本体内，由该第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。
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