[发明专利]高压金氧半导体组件及其制作方法

权利要求书

1.一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括：

一第一导电型的本体，位于一漏极掺杂区之上；

一导电结构，具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部由该本体的上表面朝向该本体的内部延伸，该第二延伸部沿着该本体的该上表面延伸；

一第二导电型的第一井区，位于该本体内及位于该第二延伸部的下方，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；

一第一导电型的源极掺杂区，位于该第一井区内；以及

一第二导电型的第二井区，位于该本体内，由该第一延伸部的底部延伸至该漏极掺杂区附近。

2.根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该第一延伸部连接至该第二延伸部。

3.根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该第一延伸部与该第二延伸部间具有一介电层，该第一延伸部电性连接至该源极掺杂区，该第二延伸部电性连接至一栅极。

4.根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该漏极掺杂区位于该本体的底部。

5.一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括：

一第一导电型的本体；

一栅极导电层，沿着该本体的上表面延伸；

二个第二导电型的第一井区，位于该本体内，且对应于该栅极导电层的相对两侧边；

二个第一导电型的源极掺杂区，分别位于该二个第一井区内，且位于该栅极导电层的相对两侧边的下方；以及

一第二导电型的第二井区，电性连接至一栅极或一源极，且位于该本体内，由该栅极导电层的下方向下延伸至一基材附近，该第二井区与该二个第一井区间分别间隔一预设距离，该第二井区与该栅极导电层的间隔距离大于该第一井区的深度。

6.根据权利要求5所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该高压金氧半导体组件还包括一第二导电型的保护环，位于该本体内且环绕该些第一井区，该保护环的深度大于该第一井区的深度，该保护环的下缘与该第二井区相接触。

7.根据权利要求6所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该保护环通过一源极金属层电性连接至一源极。

8.根据权利要求6所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该保护环通过该栅极导电层电性连接至一栅极。

9.一种高压金氧半导体组件的制作方法，其特征在于，包括：

(a)提供一基材；

(b)于该基材上制作一第一导电型的第一外延层；

(c)利用一掩膜于该第一外延层中定义一掺杂范围，并植入第二导电型的离子于该第一外延层内，以构成一第一掺杂区；

(d)重复前述步骤(b)与(c)至少一个循环；

(e)制作一第二外延层于该些第一外延层上；

(f)制作一沟渠暴露最上方的该第一掺杂区；

(g)制作一导电结构于该第二外延层上，该导电结构具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部位于该沟渠内，该第二延伸部沿着该第二外延层的上表面延伸；

(h)以该导电结构为屏蔽，植入第二导电型的离子于该第二外延层内，以构成多个第一井区，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；

(i)利用一掩膜定义源极的位置，植入第一导电型的离子于该第一井区内，以构成多个源极掺杂区；

(j)沉积一介电层，于该介电层中制作多个接触窗，暴露位于该介电层下方的该些源极掺杂区与该第一井区；以及

(k)通过该介电层植入第二导电型的离子于该第一井区内，以构成多个第二导电型的重掺杂区于该第一井区内。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，其中，制作该导电结构的步骤包括：

制作一第一氧化层，覆盖该第二外延层的裸露表面；

全面沉积一多晶硅层；以及

利用一掩膜定义该导电结构的位置，并蚀刻去除多余的该多晶硅层。