[发明专利]微影制程的曝光装置及方法有效
| 申请号： | 200810170515.0 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414131A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 游大庆;王宪程;谢弘璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种微影制程的曝光装置及方法，该微影制程的曝光装置，至少包括可变聚焦元件。可变聚焦元件可包含在电场存在下可被变形的透明膜。透明膜的变形可允许放射光束的焦距作调整。在一实施例中，可调整可变聚焦元件，藉以提供曝光目标上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目标上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一种微影制程的方法和电脑可读取媒体。 | ||
| 搜索关键词： | 微影制程 曝光 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种微影制程的曝光装置，其特征在于其至少包括：一放射源，操作来提供一放射光束以曝光一半导体基材；一可变聚焦元件，其中该可变聚焦元件至少包含一膜；一控制器，操作地耦合于该可变聚焦元件；以及一基材平台，用以定位该半导体基材。
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