[发明专利]微影制程的曝光装置及方法

权利要求书

1.一种微影制程的曝光装置，其特征在于该微影制程的曝光装置是一 步进扫描系统，且其至少包括：

一放射源，操作来提供一放射光束以曝光一半导体基材；

一位准感测器，用以判断该半导体基材上的一第一特征的一第一高度 与一第二特征的一第二高度，并且提供该第一高度的指示与该第二高度的 指示给一控制器，其中该第一特征与该第二特征位在该半导体基材的一单 一曝光场中；

一可变聚焦元件，其中该可变聚焦元件至少包含一膜，且当一第一电 场施加在该膜时，该可变聚焦元件是装设来提供一第一焦距，而当一第二 电场施加于该膜时，该可变聚焦元件是装设来提供一第二焦距；

该控制器，操作地耦合于该可变聚焦元件，其中该控制器是安装来在 当曝光该半导体基材的该单一曝光场时藉由个别地提供该第一电场和该第 二电场的方式来控制该可变聚焦元件，其中该控制器提供该第一电场来回 应接收自该位准感测器的该第一高度的指示、以及提供该第二电场来回应 接收自该位准感测器的该第二高度的指示；以及

一基材平台，用以定位该半导体基材。

2.根据权利要求1所述的微影制程的曝光装置，其特征在于其中所述 的膜包含一透明固态材料和一透明液体材料的至少之一，或包含硅。

3.根据权利要求1所述的微影制程的曝光装置，其特征在于其更包含 一光掩膜，该光掩膜包含有用以形成一电路的一部分的一图案，其中该光 掩膜位于该放射源与该可变聚焦元件之间。

4.根据权利要求1所述的微影制程的曝光装置，其特征在于其中所述 的可变聚焦元件是一微光机电系统元件。

5.一种微影制程的曝光方法，其特征在于其至少包括以下步骤：

利用一步进扫描系统的一放射源来提供一放射光束，其中该步进扫描 系统包含该放射源、一位准感测器、一控制器以及一可变聚焦元件，该可 变聚焦元件包含一透明膜，其中该控制器可操作地耦合于该透明膜，该控 制器利用调整施加在该透明膜上的电场强度来控制该透明膜的变形，藉此 改变该放射光束通过该透明膜的焦距；

利用该位准感测器来判断一基材的一第一位准与该基材的一第二位 准，其中该第一位准和该第二位准包含在该基材上的一单一曝光场中；

利用所判断出的该第一位准，判断曝光该基材的一第一焦距、以及利 用所判断出的该第二位准，判断曝光该基材的一第二焦距；

利用该控制器变形该透明膜，藉以提供一第一变形膜；

使所提供的该放射光束通过该第一变形膜，以提供该第一焦距；

在该放射光束已通过该第一变形膜之后，将该基材曝光于该放射光束， 其中将该基材曝光于该放射光束的步骤包含形成一图案于该基材上，该图 案包含一电路特征的一部分；

接着利用该控制器变形该透明膜，藉以提供一第二变形膜；

使所提供的该放射光束通过该第二变形膜，以提供该第二焦距；以及

在该放射光束已通过该第二变形膜之后，将该基材曝光于该放射光束， 其中在该放射光束已通过该第一变形膜之后将该基材曝光于该放射光束的 步骤、以及在该放射光束已通过该第二变形膜之后将该基材曝光于该放射 光束的步骤是在该单一曝光场中进行。

6.根据权利要求5所述的微影制程的曝光方法，其特征在于其中变形 该透明膜的步骤包含使该透明膜提供一抛物线状的表面，且该透明膜是一 含有硅的膜。