[发明专利]发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810168723.7 申请日: 2003-01-24
公开(公告)号: CN101369634A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 山崎舜平;广木正明;村上雅一;桑原秀明 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王小衡
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及发光器件及其制造方法。提供一种具有高清晰度、大屏幕的象素部分的高可靠性的发光器件。根据本发明的发光器件,在提供在象素电极之间的绝缘体(24)上形成由金属膜制成的辅助电极(21),因而可以制造低电阻和很薄的导电层(20),该导电层与辅助电极接触由透明导电膜制成。此外,利用辅助电极(21)以获得与下层上的电极的连接,因而可以用在EL层上形成的透明导电膜将该电极引出。此外,形成由叠置形成的含有氢的薄膜和氮化硅膜的保护膜(32),由此获得高可靠性。
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:在具有绝缘表面的衬底之上的发光元件,该发光元件包括阳极、阴极和插入阳极和阴极之间的有机化合物层,其中发光元件由含有氢的薄膜覆盖。
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