[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200810168723.7 | 申请日: | 2003-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN101369634A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;广木正明;村上雅一;桑原秀明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王小衡 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件,包括:
在具有绝缘表面的衬底之上的发光元件,所述发光元件包括阳极、阴极和插入所述阳极和所述阴极之间的有机化合物层,
其中所述发光元件由含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜覆盖。
2.根据权利要求1的发光器件,其中所述发光器件被组合在选自由个人计算机、摄像机、移动计算机、护目镜型显示器、采用记录介质的播放机、数字照相机、便携式电话、电子图书和汽车导航系统组成的组中至少之一。
3.一种发光器件,包括:
在具有绝缘表面的衬底之上的发光元件,所述发光元件包括阳极、阴极和插入所述阳极和所述阴极之间的有机化合物层,
其中所述发光元件由含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜覆盖,且
其中所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜由包括无机绝缘膜的保护膜覆盖。
4.根据权利要求3的发光器件,其中所述发光器件被组合在选自由个人计算机、摄像机、移动计算机、护目镜型显示器、采用记录介质的播放机、数字照相机、便携式电话、电子图书和汽车导航系统组成的组中至少之一。
5.一种制造发光器件的方法,包括:
在绝缘表面上形成薄膜晶体管;
形成电连接到所述薄膜晶体管的阴极;
在所述阴极上形成有机化合物层;
在所述有机化合物层上形成阳极;以及
在所述阳极上形成含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜。
6.根据权利要求5的制造发光器件的方法,其中通过等离子体CVD方法或溅射方法形成所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜。
7.根据权利要求5的制造发光器件的方法,其中通过蒸发方法、涂覆方法、离子镀方法或喷墨方法实施形成所述有机化合物层的步骤。
8.根据权利要求5的制造发光器件的方法,其中在所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜上形成包括无机绝缘膜的保护膜。
9.根据权利要求5的制造发光器件的方法,其中当形成所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜时,用氢终止所述有机化合物层中的缺陷。
10.根据权利要求5的制造发光器件的方法,其中所述发光器件被组合在选自由个人计算机、摄像机、移动计算机、护目镜型显示器、采用记录介质的播放机、数字照相机、便携式电话、电子图书和汽车导航系统组成的组中至少之一。
11.一种制造发光器件的方法,包括:
在绝缘表面上形成薄膜晶体管;
形成电连接到所述薄膜晶体管的阳极;
在所述阳极上形成有机化合物层;
在所述有机化合物层上形成阴极;以及
在所述阴极上形成含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜。
12.根据权利要求11的制造发光器件的方法,其中通过等离子体CVD方法或溅射方法形成所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜。
13.根据权利要求11的制造发光器件的方法,其中通过蒸发方法、涂覆方法、离子镀方法或喷墨方法实施形成所述有机化合物层的步骤。
14.根据权利要求11的制造发光器件的方法,其中在所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜上形成包括无机绝缘膜的保护膜。
15.根据权利要求11的制造发光器件的方法,其中当形成所述含有氢的类金刚石碳薄膜或含有氢的氮化硅膜时,用氢终止所述有机化合物层中的缺陷。
16.根据权利要求11的制造发光器件的方法,其中所述发光器件被组合在选自由个人计算机、摄像机、移动计算机、护目镜型显示器、采用记录介质的播放机、数字照相机、便携式电话、电子图书和汽车导航系统组成的组中至少之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





