[发明专利]连续阴影掩模汽相沉积系统的阴影掩模的原位腐蚀方法无效
申请号: | 200810168296.2 | 申请日: | 2008-10-15 |
公开(公告)号: | CN101413124A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 托马斯·彼得·布罗迪;约瑟夫·A·马尔卡尼奥 | 申请(专利权)人: | 阿德文泰克全球有限公司 |
主分类号: | C23F1/12 | 分类号: | C23F1/12;B08B7/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 公开了一种连续阴影掩模汽相沉积系统的阴影掩模的原位腐蚀方法,其中将基板推进通过多个顺序连接的沉积真空腔。随着基板推进通过每个沉积真空腔,通过定位于沉积真空腔中的阴影掩模在基板上沉积来自定位于沉积真空腔中的材料沉积源的材料。该材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上。接着在至少一个沉积真空腔中的阴影掩模的表面上所进行的材料沉积之后,在该沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入该沉积真空腔。随后使得反应气体电离以去除沉积在阴影掩模上的材料。 | ||
搜索关键词: | 连续 阴影 掩模汽相 沉积 系统 原位 腐蚀 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种对用于形成电子器件的阴影掩模汽相沉积系统的一个或多个阴影掩模的使用和清洁方法,该方法包括步骤:(a)将基板推进通过多个顺序连接的沉积真空腔,每个沉积真空腔具有定位于其中的至少一个材料沉积源以及一个阴影掩模;(b)在每个沉积真空腔为真空情况下通过定位于其中的阴影掩模在基板上沉积来自定位于沉积真空腔中的至少一个材料沉积源的材料,其中所述材料也被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上;(c)接着在步骤(b)中所进行的在所述多个顺序连接的沉积真空腔的至少一个沉积真空腔中的阴影掩模的表面上的材料沉积之后,在所述至少一个沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入所述至少一个沉积真空腔;以及(d)使得所述多个顺序连接的沉积真空腔的所述至少一个沉积真空腔中的反应气体电离,从而电离后的气体去除了沉积在阴影掩模上的材料。
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