[发明专利]连续阴影掩模汽相沉积系统的阴影掩模的原位腐蚀方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2007年10月15日提交的美国临时专利申请No.60/979,957的优先权，在此将其以引用方式并入本申请。

技术领域

本发明涉及连续直线型阴影掩模汽相沉积系统中阴影掩模的原位清洁的方法。

背景技术

美国专利No.6,943,066公开了一种示例性连续直线型阴影掩模汽相沉积系统，将其在此以用作参考。迄今，此系统的问题在于必须从系统中移走每个阴影掩模来进行清洗，并且随后再返回到系统中，从而防止在每个阴影掩模的表面上和孔中堆积沉积材料，这种堆积不利地影响了通过阴影掩模沉积在基板上的图案的尺寸。

下文所述的实施例试图利用现有技术中的直线型阴影掩模汽相沉积系统来克服前述问题。

发明内容

本发明是一种对用于形成电子器件的阴影掩模汽相沉积系统的一个或多个阴影掩模的使用和清洁方法。该方法包括步骤(a)将基板推进通过多个顺序连接的沉积真空腔，每个沉积真空腔具有定位于其中的至少一个材料沉积源以及一个阴影掩模；(b)在每个沉积真空腔为真空情况下通过定位于其中的阴影掩模在基板上沉积来自定位于沉积真空腔中的至少一个材料沉积源的材料，其中所述材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上；(c)接着在步骤(b)中所进行的在所述多个顺序连接的沉积真空腔的至少一个沉积真空腔中的阴影掩模的表面上的材料沉积之后，在所述至少一个沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入所述至少一个沉积真空腔；以及(d)使得所述多个顺序连接的沉积真空腔的所述至少一个沉积真空腔中的反应气体电离，从而电离后的气体去除了沉积在阴影掩模上的材料。

该方法可以进一步包括步骤：(e)推进另一基板通过多个顺序连接的沉积真空腔；(f)在每个沉积真空腔为真空情况下通过定位于其中的阴影掩模在另一基板上沉积来自定位于沉积真空腔中的至少一个材料沉积源的材料，其中所述材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上；(g)接着在步骤(f)中所进行的在所述多个顺序连接的沉积真空腔的至少一个沉积真空腔中的阴影掩模的表面上的材料沉积之后，在所述至少一个沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入所述至少一个沉积真空腔；以及(h)使得所述多个顺序连接的沉积真空腔的所述至少一个沉积真空腔中的反应气体电离，从而电离后的气体去除了沉积在阴影掩模上的材料。

在步骤(d)中，电离后的气体能通过溅射法去除沉积在阴影掩模上的材料。

在步骤(c)中，所述至少一个沉积真空腔中反应气体的压力可以在1毫托到500毫托之间。

当沉积在阴影掩模上的材料是绝缘体时，反应气体可以是CF₄或者SF₆。该绝缘体可以是SiO₂。

当沉积在阴影掩模上的材料是导电体时，反应气体可以是氯型气体。氯型气体可以包括Cl₂和BCl₃中的一个或者其组合。该导电材料可以是Cu或者Al。

当沉积在阴影掩模上的材料是半导体时，反应气体可以是三甲胺、或CH₄/H₂/Ar的组合、或H₂/Ar的组合。该半导体可以是CdS、CdTe或者CdSe。

本发明还是一种对用于形成电子器件的阴影掩模汽相沉积系统的一个或多个阴影掩模的使用和清洁方法。该方法包括步骤(a)将基板导入沉积真空腔，在该沉积真空腔中包括材料沉积源和阴影掩模；(b)在沉积真空腔为真空情况下通过阴影掩模在基板上沉积来自材料沉积源的材料，其中所述材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上；(c)接着在步骤(b)中所进行的在沉积真空腔中的阴影掩模的表面上的材料沉积之后，在该沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入该沉积真空腔；以及(d)使得该沉积真空腔中的反应气体电离，从而电离后的气体去除了沉积在阴影掩模上的材料。

该方法可以进一步包括步骤：(e)将另一基板导入沉积真空腔；(f)在沉积真空腔为真空情况下通过阴影掩模在另一基板上沉积来自材料沉积源的材料，其中所述材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上；(g)接着在步骤(f)中所进行的在沉积真空腔中的阴影掩模的表面上的材料沉积之后，在该沉积真空腔中没有其他基板时将反应气体导入该沉积真空腔；以及(h)使得该沉积真空腔中的反应气体电离，从而电离后的气体去除了沉积在阴影掩模上的材料。

电离后的气体能通过溅射法去除沉积在阴影掩模上的材料。