[发明专利]微影双重图形成形方法有效
| 申请号： | 200810167939.1 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101446760A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 许峰诚;陈俊光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种微影双重图形成形方法，包含下列步骤：形成一第一光阻层于一基板上，第一光阻层包含至少一开口；固化第一光阻层；形成一第二光阻层于基板上；形成一物质层于基板上；以及移除第一及第二光阻层以曝露基板。藉此能够利用微影双重图形方法形成双重光阻图形，即第一光阻图形及第二光阻图形，使第一光阻图形及第二光阻图形间之分离间隔达成一更小的最小特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图形 成形 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微影图形成形方法，其特征在于其包含以下步骤：形成一第一光阻图形于一基板上，该第一光阻图形包含至少一开口；固化该第一光阻图形；形成一第二光阻图形于包含已固化的该第一光阻图形的该基板上；形成一物质层于该基板上；以及移除该第一及第二光阻图形以曝露该基板。
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