[发明专利]微影双重图形成形方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微影图形成形，特别是涉及一种微影双重图形成形方 法。

背景技术

半导体技术在现代仍然持续地朝着更小的尺寸在迈进。近年来在尺寸 上，已经演进到65纳米、45纳米，甚至更小的工艺(即制程，本文均称为 工艺)。用来产生微小集成电路布局的光阻层，通常具有较高的长宽比。在 上述的情形下，如何维持一个理想的关键尺寸(critical dimension；CD)， 将因众多影响因素而提升困难度。光阻层的关键尺寸即为其中一项面临挑 战的项目。举例来说，在微影图形成形工艺中，光阻层容易遭受图形崩毁 (pattern collapse)以及关键尺寸降低的影响，而使得工艺的结果并不理 想。

由此可见，上述现有的微影图形成形方法在方法与使用上，显然仍存在 有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂 商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展 完成，而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业 者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的微影双重图形成形方法，实 属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的微影图形成形方法存在的缺陷，本发明人基于从事 此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创设一种新的微影双重图形成形方法，能够改进一般 现有的微影图形成形方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并 经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的微影双重图形成形方法存在的缺陷， 而提供一种新的微影双重图形成形方法，所要解决的技术问题是使其第一 光阻图形及第二光阻图形间之分离间隔达成一更小的最小特征尺寸，非常 适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新的微影双重图形成形方法，所要 解决的技术问题是使其第一光阻图形及第二光阻图形间之分离间隔达成一 更小的最小特征尺寸，从而更加适于实用。

本发明的还一目的在于，提供一种新的微影双重图形成形方法，所要 解决的技术问题是使其第一光阻物质及第二光阻物质间之分离间隔达成一 更小的最小特征尺寸，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种微影图形成形(lithography patterning)方法，包含 以下步骤：形成一第一光阻图形于一基板上，该第一光阻图形包含至少一 开口；固化(curing)该第一光阻图形；形成一第二光阻图形于包含已固 化的该第一光阻图形的该基板上；形成一物质层(material layer)于该 基板上；以及移除该第一及第二光阻图形以曝露该基板。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的微影双重图形成形方法，其更包含一步骤：利用该物质层做为 一光罩，对该基板进行蚀刻。

前述的微影双重图形成形方法，其中所述的第二光阻图形的每一部分 沉积于该第一光阻图形的至少一开口中。

前述的微影双重图形成形方法，其中固化该第一光阻图形的步骤是经 由一热固化工艺(thermal curing)、一紫外线固化工艺(UV curing)、一 电子束处理过程(e-beam treatment)、一离子布植处理过程(ion-implant treatment)或其排列组合的工艺所形成。

前述的微影双重图形成形方法，其中在移除该第一及第二光阻图形的 步骤前更包含一步骤：蚀刻该物质层以曝露该第一及该第二光阻图形。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种微影双重图形成形(lithography double patterning)方 法，包含以下步骤：形成一第一物质层于一基板上；形成一第一光阻图形于 该第一物质层上，该第一光阻图形包含多个开口；固化该第一光阻图形；在 固化该第一光阻图形后，形成一第二光阻图形于该第一物质层上；形成一 第二物质层于该第一物质层上；移除该第一及第二光阻图形以曝露该第一 物质层中，未被该第二物质层覆盖的部分；以及利用该第二物质层做为一 光罩，蚀刻该第一物质层。