[发明专利]蒸发器输送安瓿无效
| 申请号: | 200810166196.6 | 申请日: | 2003-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN101476115A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
| 发明(设计)人: | 约翰·格雷格;斯科特·巴特勒;杰弗里·I·邦东;多恩·纳伊托;玛丽安娜·富耶雷尔 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
| 主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
| 地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明公开一种半导体制造过程中所用的蒸发器输送系统(10),其包括用于容纳可蒸发的源材料的多个垂直堆叠的容器(22)。每个垂直堆叠的容器包括延伸进入每个堆叠容器(22)内部(27)中的多个通风突起物(30),从而提供用于使载气在相邻的垂直堆叠容器(22)之间通过的通道。 | ||
| 搜索关键词: | 蒸发器 输送 安瓿 | ||
【主权项】:
1. 一种利用适于接收至少一个容器的蒸发器安瓿、以及利用至少一个容器的方法,所述至少一个容器在其内限定了腔,所述方法包含:将含有固体的源材料引入所述至少一个容器;将所述固体源材料的至少一部分溶解于溶剂中;将所述至少一个容器放置于所述蒸发器安瓿中;和将所述溶剂从所述源材料移除。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





