[发明专利]高灵敏磁敏材料有效
| 申请号： | 200810163790.X | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101552070A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 方允樟;郑金菊;吴锋民;许启明;满其奎 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01F1/153 | 分类号： | H01F1/153;C22C30/00 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 | 代理人： | 吕葆华 |
| 地址： | 321004浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁敏材料，特别是一种高灵敏磁敏材料。含有Fe并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Cr中的一种或多种组分的合金，其特征在于：外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。因纳米晶结构，具有纵向易磁化和纵向高磁导率的优点，而非晶结构，具有垂直于纵向的环向易磁化和环向高磁导率的优点。两者的结合，不仅能大大提高阻抗变化率和磁场灵敏度，大大提高在微弱磁场的磁场灵敏度，而且还具有低灵敏响应临界磁场(其灵敏响应磁场可以小于5A/m)、可以在无需偏置场的情况下对微弱磁场敏感、降低磁敏传感器的功耗、成本低廉等优点，是一种性价比高的高灵敏磁敏材料。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏 材料 | ||
【主权项】：
1、一种高灵敏磁敏材料，包括Fe，并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Zr中的一种或多种组分的合金，其特征在于：外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。
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