[发明专利]一种量子点光纤纤芯的制备方法

摘要

本发明公开了一种量子点光纤纤芯的制备方法，所述的量子点光纤纤芯是掺杂有半导体纳米晶体量子点PbS或PbSe的光纤纤芯，所述量子点光纤纤芯按如下步骤制备：将原料P₂O₅、ZnO、M₂O₃、R₂O、含F化合物、含Cl化合物和形成半导体纳米晶体量子点的掺杂物按照摩尔配比称取，放在球磨机中充分混匀，置于密闭坩埚中1000-1500℃高温熔融30min-2h，然后迅速冷却，制成光纤玻璃预制件，再把光纤玻璃预制件拉伸成光纤，最后再进行两步热退火处理工艺，即可得到所述量子点光纤纤芯。本发明制备量子点光纤纤芯的方法简单、高效、廉价，所制得的量子点光纤纤芯材料应用于光纤放大器时，具有体积小、带宽宽、增益高等优良特性。

主权项

1. 一种量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的量子点光纤纤芯是掺杂有半导体纳米晶体量子点PbS或PbSe的光纤纤芯，所述的量子点光纤纤芯由摩尔配比如下的原料制成：P2O5 50～75份ZnO 5～20份M2O3 5～20份R2O 10～25份含F化合物 1～7份含Cl化合物 0.5～5份形成半导体纳米晶体量子点的掺杂物 0.1～2份所述的M2O3为B2O3、Al2O3、Ga2O3中的一种或两种以上任意比例的混合物；所述的R2O为Li2O、Na2O、K2O中的一种或两种以上任意比例的混合物；所述的含F化合物为MgF2、CaF2、BaF2或AlF3；所述的含Cl化合物为CaCl2或MgCl2；所述的形成半导体纳米晶体量子点的掺杂物选自下列之一：PbS、含Pb物质和含S物质的混合物、含Pb物质和含Se物质的混合物；所述量子点光纤纤芯按如下步骤制备：按上述原料摩尔配比称取上述各原料，放在球磨机中充分混匀，置于密闭坩埚中1000-1500℃高温熔融30min-2h，然后迅速冷却，制成光纤玻璃预制件，再把光纤玻璃预制件拉伸成光纤，最后再进行两步热退火处理工艺，即可得到所述光纤纤芯。