[发明专利]一种量子点光纤纤芯的制备方法

权利要求书

1.一种量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的量子点光纤纤芯是掺杂有半导体纳米晶体量子点PbS或PbSe的光纤纤芯，所述的量子点光纤纤芯由摩尔配比如下的原料制成：

P₂O₅                50～75份

ZnO                 5～20份

M₂O₃                5～20份

R₂O                 10～25份

含F化合物           1～7份

含Cl化合物          0.5～5份

形成半导体纳米晶体量子点的掺杂物    0.1～2份

所述的M₂O₃为B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃中的一种或两种以上任意比例的混合物；所述的R₂O为Li₂O、Na₂O、K₂O中的一种或两种以上任意比例的混合物；所述的含F化合物为MgF₂、CaF₂、BaF₂或AlF₃；所述的含Cl化合物为CaCl₂或MgCl₂；所述的形成半导体纳米晶体量子点的掺杂物选自下列之一：PbS、含Pb物质和含S物质的混合物、含Pb物质和含Se物质的混合物；

所述量子点光纤纤芯按如下步骤制备：按上述原料摩尔配比称取上述各原料，放在球磨机中充分混匀，置于密闭坩埚中1000-1500℃高温熔融30min-2h，然后迅速冷却，制成光纤玻璃预制件，再把光纤玻璃预制件拉伸成光纤，最后再进行两步热退火处理工艺，所述两步热退火处理工艺具体如下：把光纤于350-500℃低温退火处理30min-2h；再升高温度至500-700℃，保温30min-5h，取出在空气中急冷至室温，即可得到所述量子点光纤纤芯。

2.如权利要求1所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于球磨后的原料置于密闭坩锅中高温熔融时采用Ar气氛保护。

3.如权利要求1或2所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的含Pb物质为Pb粉或PbO。

4.如权利要求1或2所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的含S物质为S粉。

5.如权利要求1或2所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的含Se物质为Se粉。

6.如权利要求1或2所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的形成的半导体纳米晶体量子点的掺杂物为PbS或者为Pb粉和Se粉的混合物。

7.如权利要求1所述的量子点光纤纤芯的制备方法，其特征在于所述的量子点光纤纤芯是掺杂有半导体纳米晶体量子点PbS或PbSe的光纤纤芯，所述的量子点光纤纤芯由摩尔配比如下的原料制成：

P₂O₅                50～75份

ZnO                 5～20份

M₂O₃                5～20份

R₂O                 10～25份

含F化合物           1～7份

含Cl化合物          0.5～5份

PbS或者Pb粉和Se粉的混合物    0.1～2份

所述量子点光纤纤芯按如下步骤制备：按照上述配比称取各原料，放在球磨机中充分混匀，置于密闭坩埚中1000-1500℃高温熔融30min-2h，加热保温时采用Ar气氛保护；然后于空气气氛中迅速冷却，制成光纤玻璃预制件，再把光纤玻璃预制件拉伸成光纤，所述的光纤玻璃预制件于450-700℃拉制成光纤，然后把光纤放入箱式炉中350-500℃低温退火处理30min-2h；升高箱式炉温度至500-700℃，保温30min-5h；空气中急冷至室温，得到所述的量子点光纤纤芯。