[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备有效
| 申请号： | 200810161457.5 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101404288A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 大岸裕子 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种固态成像装置及其制造方法以及成像设备，其中，该固态成像装置包括：形成在半导体衬底中以将入射光转换为电信号的多个传感器部；形成在半导体衬底中以位于传感器部旁边的外围电路部；以及形成在传感器部的光入射侧上以在传感器部的光接收表面上形成空穴累积层的具有负固定电荷的层。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：多个传感器部，形成在半导体衬底中，以将入射光转换为电信号；外围电路部，形成在所述半导体衬底中，以位于所述传感器部旁边；以及具有负固定电荷的层，形成在所述传感器部的光入射侧上，以在所述传感器部的所述光接收表面上形成空穴累积层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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