[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备有效
| 申请号： | 200810161457.5 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101404288A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 大岸裕子 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
1.一种固态成像装置，包括：
多个传感器部，形成在半导体衬底中，以将入射光转换为电信号；
外围电路部，形成在所述半导体衬底中，以位于所述传感器部旁边；以及
具有负固定电荷的层，形成在所述传感器部的光入射侧上，以在所述传感器部的所述光接收表面上形成空穴累积层，
其中，所述具有负固定电荷的层为二氧化铪(HfO2)层、氧化铝(Al2O3)层、氧化锆(ZrO2)层、氧化钽(Ta2O5)层、氧化钛(TiO2)层、氧化镧(La2O3)层、氧化镨(Pr2O3)层、氧化铈(CeO2)层、氧化钕(Nd2O3)层、氧化钷(Pm2O3)层、氧化钐(Sm2O3)层、氧化铕(Eu2O3)层、氧化钆(Gd2O3)层、氧化铽(Tb2O3)层、氧化镝(Dy2O3)层、氧化钬(Ho2O3)层、氧化铒(Er2O3)层、氧化铥(Tm2O3)层、氧化镱(Yb2O3)层、氧化镥(Lu2O3)层、氧化钇(Y2O3)层、氮化铪层、氮化铝层、氧氮化铪层或氧氮化铝层。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：
多个像素部，每个均具有将入射光转换为电信号的所述传感器部；以及
配线层，设置在形成有所述像素部的所述半导体衬底的表面上，
其中，所述固态成像装置是背部照明的固态成像装置，其在所述传感器部中接收从与其上形成有所述配线层的所述表面相对的一侧入射的光。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述具有负固定电荷的层形成方法包括化学汽相沉积方法、溅镀方法和原子层沉积方法。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在所述半导体衬底中，二氧化硅层位于所述具有负固定电荷的层和所述传感器部之间。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在位于所述传感器部的所述光入射侧的所述半导体衬底上的所述传感器部的所述光接收表面上形成所述具有负固定电荷的层，以及
在所述外围电路部与所述具有负固定电荷的层之间形成N型杂质区域。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置，还包括：
多个像素部，每个均具有将入射光转换为电信号的所述传感器部；以及
配线层，设置在形成有所述像素部的所述半导体衬底的表面上，
其中，所述固态成像装置是背部照明的固态成像装置，其在所述传感器部中接收从与其上形成有所述配线层的所述表面相对的一侧入射的光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
