[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件的制造方法，在该方法中，在半导体基板的划线区中形成对准图案，在形成于半导体基板上的绝缘层中布置用于使划线区露出的穿通槽。基于对准图案对配线图案的形成位置进行对准，使金属层图案化，从而形成配线图案。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：半导体芯片形成步骤，在半导体基板的多个半导体芯片形成区中形成多个半导体芯片；对准图案形成步骤，在半导体基板的半导体芯片形成区之间设置的划线区中形成对准图案；内部连接端子形成步骤，在半导体芯片的电极焊盘上形成内部连接端子；绝缘层形成步骤，在上面形成有半导体芯片的半导体基板上形成具有穿通槽的绝缘层，并使穿通槽处于与半导体基板的划线区相对的状态；金属层形成步骤，在绝缘层上形成金属层；配线图案形成步骤，基于对准图案使待与内部连接端子电连接的配线图案的形成位置对准，基于所述形成位置使金属层图案化，从而形成配线图案；以及切割步骤，在配线图案形成步骤之后对半导体基板的与划线区相对应的部分进行切割。