[发明专利]半导体受光元件有效

专利信息
申请号: 200810160917.2 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101521245A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 石村荣太郎;中路雅晴 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/107;H01L31/0232
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP衬底11的下表面从n型InP衬底(11)侧依次形成的n型多层反射层(12)(第一反射层)、吸收层(13)、p型相位调整层(14)和阳极电极(15)(第二反射层)。在n型InP衬底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多层反射层(12)是层叠了折射率不同的半导体层的多层反射层。吸收层(13)的带隙比n型InP衬底(11)小。p型相位调整层(14)的带隙比吸收层(13)大。n型多层反射层(12)和吸收层(13)不通过其他层地接触。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
1. 一种半导体受光元件,其特征在于,具备:具有彼此对置的第一主面和第二主面的半导体衬底;在所述半导体衬底的所述第一主面上从所述半导体衬底侧依次形成的第一反射层、吸收层、相位调整层以及第二反射层;形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上的防反射膜,所述第一反射层是层叠有折射率不同的半导体层的多层反射层,所述吸收层的带隙比所述半导体衬底小,所述相位调整层的带隙比所述吸收层大,所述第一反射层和所述吸收层不通过其他层地接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810160917.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top