[发明专利]半导体受光元件有效
| 申请号: | 200810160917.2 | 申请日: | 2008-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN101521245A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
| 发明(设计)人: | 石村荣太郎;中路雅晴 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/107;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体受光元件,其特征在于,
具备:
具有彼此对置的第一主面和第二主面的半导体衬底;
在所述半导体衬底的所述第一主面上从所述半导体衬底侧依次形成的第一反射层、吸收层、相位调整层以及第二反射层;以及
形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上的防反射膜,
所述第一反射层是层叠有折射率不同的半导体层的多层反射层,
所述吸收层的带隙比所述半导体衬底的带隙小,
所述相位调整层的带隙比所述吸收层的带隙大,
所述第一反射层和所述吸收层不通过其他层地接触。
2.根据权利要求1的半导体受光元件,其特征在于,
所述吸收层的膜厚比所述相位调整层的膜厚大。
3.根据权利要求1或2的半导体受光元件,其特征在于,
所述第二反射层是金属膜。
4.根据权利要求3的半导体受光元件,其特征在于,
所述第二反射层和所述相位调整层的连接是肖特基连接。
5.根据权利要求1或2的半导体受光元件,其特征在于,
还具备:
配置在所述第二反射层周围且连接到所述相位调整层的接触层。
6.根据权利要求1或2的半导体受光元件,其特征在于,
所述第二反射层具有由电介质或半导体的单层或多层膜构成的反射增强层。
7.根据权利要求6的半导体受光元件,其特征在于,
所述第二反射层还具有设置在所述反射增强层上的金属膜。
8.根据权利要求1或2的半导体受光元件,其特征在于,
所述半导体衬底的所述第二主表面加工成凹状。
9.根据权利要求1或2的半导体受光元件,其特征在于,
所述多层反射层的一部分或者所述相位调整层的一部分是雪崩光电二极管的倍增层。
10.一种半导体受光元件,其特征在于,
具备:
具有彼此对置的第一主面和第二主面的半导体衬底;
在所述半导体衬底的所述第一主面上从所述半导体衬底侧依次形成的第一反射层、吸收层和第二反射层;
形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上并且具有开口的电极;以及
设置在所述电极开口中的防反射膜,
所述第一以及第二反射层是层叠有折射率不同的半导体层的多层反射层,
所述吸收层的带隙比所述半导体衬底的带隙小,
所述第一反射层和第二反射层夹着所述吸收层构成共振器,
射入到半导体受光元件的射入光在所述第一反射层和第二反射层之间往返。
11.一种半导体受光元件,其特征在于,
具备:
具有彼此对置的第一主表面和第二主表面的半导体衬底;
在所述半导体衬底的所述第一主表面上从所述半导体衬底侧依次形成的第一吸收层、第一反射层、第二吸收层以及第二反射层;以及
形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上的防反射膜,
所述第一以及第二反射层是层叠有折射率不同的半导体层的多层反射层,
所述第一以及第二吸收层的带隙比所述半导体衬底的带隙小,
所述第一反射层和第二反射层夹着所述第二吸收层构成共振器,
射入到半导体受光元件的射入光在所述第一反射层和第二反射层之间往返。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





