[发明专利]一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法，包括制备预制层和硒化或硫化反应；制备预制层制得含有部分Se或S的预制层；硒化或硫化反应：将镀有钼和预制层的衬底硒化或硫化处理后，预制层即转变为吸收层。由于制备的预制膜中含有Se或S，将镀有钼和预制层的衬底在特定的温度下，固态硒源或硫源硒化或硫化彻底、完全、均匀，使预制层转变为铜铟镓硒或铜铟镓硫吸收层，有效提高吸收层薄膜性能，满足薄膜太阳电池的要求，从而提高电池性能，并且设备简单，过程可控。

主权项

一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：包括制备预制层和硒化或硫化反应；制备预制层：采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuIn和CuGa靶材同时或先后溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；或者采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuInGa合金靶材溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；硒化或硫化反应：将镀有钼和预制层的衬底放入真空加热炉内，快速、均匀的升温，使得基片所在区域温度控制在400-590℃，固态硒源或硫源所在区域温度控制在180-300℃，依据金属预制层的厚度，进行10-30min的硒化或硫化处理后，预制层即转变为吸收层。