[发明专利]具有沟槽栅极结构的半导体器件

摘要

本发明提供一种具有条形沟槽栅极结构的垂直MOSFET，该条形沟槽栅极结构在不增加Ron的情况下，能够保证雪崩电阻。垂直MOSFET(100)包括多个栅极沟槽(7)，该多个栅极沟槽(7)以多个条形布置、阵列，该阵列夹在多个栅极沟槽(7)中，并且包括N⁺源极区域4N+和P⁺基极接触区域5P+、以及二极管区域(阳极区域6P+)，该二极管区域被形成为使得与两个栅极沟槽(7)接触。N⁺源极区域4N+和基极接触区域5P+沿栅极沟槽(7)的纵向方向交替地布置。二极管区域(阳极区域6P+)的尺寸对应于至少N⁺源极区域4N+中的一个和P⁺基极接触区域5P+中的两个。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：多个栅极沟槽，所述多个栅极沟槽以条形布置；阵列，所述阵列被夹在所述多个栅极沟槽中，并包括沿所述栅极沟槽的纵向方向交替布置的源极区域和基极接触区域；以及二极管区域，所述二极管区域被形成为使得与彼此相邻的两个所述栅极沟槽接触，其中所述二极管区域的尺寸对应于至少所述源极区域中的一个和所述基极接触区域中的两个。