[发明专利]具有沟槽栅极结构的半导体器件无效
| 申请号： | 200810149739.3 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101393915A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 山本英雄;小林研也;金子敦司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;安 翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 栅极 结构 半导体器件 | ||
1.一种垂直MOSFET，包括：
多个栅极沟槽，所述多个栅极沟槽以条形布置；
阵列，所述阵列被夹在所述多个栅极沟槽中，并包括沿所述栅极 沟槽的纵向方向交替布置的源极区域和基极接触区域；以及
二极管区域，所述二极管区域被形成为使得与彼此相邻的两个所 述栅极沟槽接触，其中所述二极管区域的尺寸对应于至少所述源极区 域中的一个和所述基极接触区域中的两个。
2.根据权利要求1所述的垂直MOSFET，其中，所述二极管区域 被形成在所述阵列中，所述二极管区域的尺寸与所述基极接触区域中 的两个和所述源极区域的尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的垂直MOSFET，其中，所述二极管区域 被形成为并列于在相邻阵列中的所述基极接触区域中的相邻两个和夹 在其间的所述源极区域。
4.根据权利要求2所述的垂直MOSFET，其中，所述二极管区域 被形成为并列于在相邻阵列中的所述源极区域中的相邻两个和夹在其 间的所述基极接触区域。
5.根据权利要求1所述的垂直MOSFET，其中，所述二极管区域 具有与相邻阵列相同的尺寸。
6.根据权利要求2所述的垂直MOSFET，进一步包括另一二极管 区域，其中所述二极管区域和所述另一二极管区域将所述栅极沟槽中 的至少一个夹在其间。
7.根据权利要求1到6中的任一项所述的垂直MOSFET，其中， 进一步包括：
形成在所述栅极沟槽中的栅极电极；以及
形成在所述栅极电极上的层间绝缘膜，其中所述层间绝缘膜被形 成在所述栅极沟槽中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
