[发明专利]反项变质多结太阳能电池中的指数掺杂层

摘要

一种形成包括上部子电池、中间子电池及下部子电池的多结太阳能电池的方法，其包括：提供用于半导体材料的外延生长的第一衬底；在所述衬底上形成具有第一带隙的第一太阳能子电池；在所述第一太阳能子电池上方形成具有小于所述第一带隙的第二带隙的第二太阳能子电池；在所述第二子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；及在所述分级夹层上方形成具有小于所述第二带隙的第四带隙的第三太阳能子电池，以使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，其中太阳能子电池的基极中的至少一者具有指数掺杂分布。

主权项

1、一种形成多结太阳能电池的方法，所述电池包含上部子电池、中间子电池及下部或底部子电池，所述方法包含：提供用于半导体材料的外延生长的第一衬底；在所述衬底上形成具有基极及射极的第一太阳能子电池，所述第一太阳能子电池具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成具有基极及射极的第二太阳能子电池，所述第二太阳能子电池具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二太阳能子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；及在所述分级夹层上方形成具有基极及射极的第三太阳能子电池，所述第三太阳能子电池具有小于所述第二带隙的第四带隙，以使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，其中所述基极中的至少一者具有指数掺杂分布。