[发明专利]反项变质多结太阳能电池中的指数掺杂层

权利要求书

1、一种形成多结太阳能电池的方法，所述电池包含上部子电池、中间子电池及下部或底部子电池，所述方法包含：

提供用于半导体材料的外延生长的第一衬底；

在所述衬底上形成具有基极及射极的第一太阳能子电池，所述第一太阳能子电池具有第一带隙；

在所述第一太阳能子电池上方形成具有基极及射极的第二太阳能子电池，所述第二太阳能子电池具有小于所述第一带隙的第二带隙；

在所述第二太阳能子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；及

在所述分级夹层上方形成具有基极及射极的第三太阳能子电池，所述第三太阳能子电池具有小于所述第二带隙的第四带隙，以使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，

其中所述基极中的至少一者具有指数掺杂分布。

2、如权利要求1所述的方法，其中所述第一太阳能电池中的所述基极具有从毗邻基极-射极结的每立方厘米1 x 10¹⁶到毗邻邻接层的每立方厘米1 x 10¹⁸的指数掺杂分级。

3、如权利要求1所述的方法，其中所述第二太阳能电池中的所述基极具有从毗邻所述基极-射极结的每立方厘米1 x 10¹⁶到毗邻所述邻接层的每立方厘米1 x 10¹⁸的指数掺杂分级。

4、如权利要求1所述的方法，其中所述第三太阳能电池中的所述基极具有从毗邻所述基极-射极结的每立方厘米1 x 10¹⁶到毗邻所述邻接层的每立方厘米1 x 10¹⁸的指数掺杂分级。

5、如权利要求1所述的方法，其中所述太阳能电池中的至少一者中的所述射极层具有从毗邻所述基极-射极结的每立方厘米5 x 10¹⁷到毗邻所述邻接层的每立方厘米5 x 10¹⁸的增加的掺杂分级。

6、如权利要求4所述的方法，其中所述第三太阳能电池是所述底部子电池且所述指数掺杂分级导致短路电流增加到约等于较高子电池中的所述短路电流的水平。

7、如权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底由GaAs构成。

8、如权利要求1所述的方法，其中所述第一太阳能子电池由InGa(Al)P射极区域及InGa(Al)P基极区域构成。

9、如权利要求1所述的方法，其中所述第二太阳能子电池由InGaP射极区域及GaAs基极区域构成。

10、如权利要求1所述的方法，其中所述分级夹层由InGaAlAs构成。

11、一种制造太阳能电池的方法，其包含：

提供第一衬底；

在第一衬底上沉积形成太阳能电池的一半导体材料层序列，所述半导体材料层序列包括具有指数掺杂的至少一个基极层；

将替代衬底安装到所述层序列的顶部上；及

移除所述第一衬底。