[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。

主权项

1. 一种半导体装置，包括：具有绝缘表面的衬底；形成在所述绝缘表面上的第一场效应晶体管；形成在所述第一场效应晶体管上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的层间绝缘层；形成在所述层间绝缘层上的第二场效应晶体管；以及形成在所述第二场效应晶体管上的第二绝缘层，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管分别包括单晶半导体层，所述第一场效应晶体管的单晶半导体层掺杂有对所述第一场效应晶体管的单晶半导体层赋予第一导电性的第一杂质，所述第二场效应晶体管的单晶半导体层掺杂有对所述第二场效应晶体管的单晶半导体层赋予第二导电性的第二杂质，所述第一导电性与所述第二导电性相反，所述第一绝缘层布置为对所述第一场效应晶体管的单晶半导体层的沟道形成区域提供拉伸应变和压缩应变中之一，所述第二绝缘层布置为对所述第二场效应晶体管的单晶半导体层的沟道形成区域提供与对所述第一场效应晶体管的单晶半导体层的沟道形成区域提供的应变相反的应变。