[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810149427.2 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101515597A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 三田惠司;高桥政男;新井贵雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，作为功率用半导体元件的纵型PNP晶体管有在饱和区域中使用时向衬底产生泄漏电流的问题。根据本发明的半导体装置，作为集电极区域的P型扩散层(22、23)形成在作为基极区域的N型扩散层(24)的周围。并且，P型扩散层(23)形成为杂质浓度比P型扩散层(22)低而且其扩散宽度窄。根据这种结构，在纵型PNP晶体管进行接通动作时，形成有P型扩散层(23)的区域主要作为寄生电流的路径。于是，能够抑制由衬底(14)、N型埋入层(16)、P型埋入层(18)构成的寄生晶体管的接通动作，防止向衬底(14)产生泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有半导体层，该半导体层至少形成有一导电型的基极扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的一导电型的基极导出扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的相反导电型的发射极扩散层、以及形成在前述基极扩散层周围的相反导电型的集电极扩散层，该半导体装置的特征在于，前述集电极扩散层具有相反导电型的第1扩散层、和杂质浓度形成得比前述第1扩散层高的相反导电型的第2扩散层；前述第1扩散层具有在不经由前述发射极扩散层而与前述基极导出扩散层对置的区域。
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