[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有半导体层，该半导体层至少形成有一导电型的基极扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的一导电型的基极导出扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的相反导电型的发射极扩散层、以及形成在前述基极扩散层周围的相反导电型的集电极扩散层，该半导体装置的特征在于，

前述集电极扩散层具有相反导电型的第1扩散层、和杂质浓度形成得比前述第1扩散层高的相反导电型的第2扩散层；

前述第1扩散层具有在不经由前述发射极扩散层而与前述基极导出扩散层对置的区域；

在前述第2扩散层和前述基极导出扩散层之间，配置前述发射极扩散层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，前述第2扩散层的扩散宽度比前述第1扩散层形成得宽。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在前述半导体层上形成有绝缘层，

仅在前述第2扩散层上的绝缘层形成有用于与集电极电极连接的接触孔。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，前述基极扩散层、前述基极导出扩散层以及前述发射极扩散层分别相对于前述第2扩散层对称地配置，

前述基极导出扩散层配置在比前述发射极扩散层更远离前述第2扩散层的区域。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在前述半导体层形成有形成在前述集电极扩散层周围的一导电型的扩散层、与前述一导电型的扩散层连结的一导电型的埋入扩散层、以及与前述集电极扩散层连结的相反导电型的埋入扩散层，

在前述一导电型的扩散层施加比前述集电极扩散层更高的电位，而且，前述一导电型的埋入扩散层和前述相反导电型的埋入扩散层重叠地形成。

6.一种半导体装置，具有半导体层，该半导体层至少形成有一导电型的基极扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的一导电型的基极导出扩散层、与前述基极扩散层重叠而形成的相反导电型的发射极扩散层、以及形成在前述基极扩散层周围的相反导电型的集电极扩散层，该半导体装置的特征在于，

前述集电极扩散层具有相反导电型的第1扩散层、和扩散宽度形成得比前述第1扩散层宽的相反导电型的第2扩散层；

前述第1扩散层具有在不经由前述发射极扩散层而与前述基极导出扩散层对置的区域，

在前述第2扩散层和前述基极导出扩散层之间，配置前述发射极扩散层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，在前述半导体层上形成有绝缘层，

仅在前述第2扩散层上的绝缘层形成有用于与集电极电极连接的接触孔。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，前述基极扩散层、前述基极导出扩散层以及前述发射极扩散层分别相对于前述第2扩散层对称地配置，

前述基极导出扩散层配置在比前述发射极扩散层更远离前述第2扩散层的区域。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，在前述半导体层形成有形成在前述集电极扩散层周围的一导电型的扩散层、与前述一导电型的扩散层连结的一导电型的埋入扩散层、以及与前述集电极扩散层连结的相反导电型的埋入扩散层，

在前述一导电型的扩散层施加比前述集电极扩散层更高的电位，而且，前述一导电型的埋入扩散层和前述相反导电型的埋入扩散层重叠地形成。